￥ 0.21

FQT1N60CTF_WS 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT1N60CTF_WS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQT1N60CTF_WS 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQT1N60CTF_WS 数据手册 (8 页)

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FQT1N60CTF_WS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

3 Position

漏源极电阻

9.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.1 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

0.2A

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

170pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Tc)

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FQT1N60CTF_WS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQT1N60CTF_WS 符合标准

FQT1N60CTF_WS 概述

FQT1N60CTF_WS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 1.01 MByte

FQT1N60CTF_WS 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 1.18 MByte

FQT1N60CTF_WS 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.06 MByte

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N沟道MOSFET QFET 600V ， 0.2 A ， 11.5欧姆 N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm

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