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CGA3E3X7R1H224K080AB
器件3D模型
0.031
CGA3E3X7R1H224K080AB 数据手册 (20 页)
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CGA3E3X7R1H224K080AB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
50.0 V
绝缘电阻
10 GΩ
电容
0.22 µF
容差
±10 %
封装(公制)
1608
封装
0603
电介质特性
X7R
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
50 V

CGA3E3X7R1H224K080AB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
材质
X7R/-55℃~+125℃
长度
1.6 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃
温度系数
±15 %
最小包装数量
4000

CGA3E3X7R1H224K080AB 数据手册

TDK(东电化)
20 页 / 0.27 MByte
TDK(东电化)
23 页 / 0.85 MByte
TDK(东电化)
8 页 / 0.1 MByte

CGA3E3X7R1H224K080 数据手册

TDK(东电化)
TDK  CGA3E3X7R1H224K080AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 0.22 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0603 [1608 公制]
TDK(东电化)
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT SOFT 0603 50V 0.22uF X7R 10% AEC-Q200
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