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器件3D模型￥ 7.634
IRF40H210 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
PQFN-8
描述:
IRF40H210 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRF40H210数据手册
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IRF40H210
3
www.irf.com © 2015 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback April 1, 2015
Dynamic Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions
gfs Forward Transconductance 113 ––– ––– S V
DS
= 10V, I
D
= 100A
Q
g
Total Gate Charge ––– 101 152
I
D
= 100A
Q
gs
Gate-to-Source Charge ––– 30 ––– V
DS
= 20V
Q
gd
Gate-to-Drain Charge ––– 31 ––– V
GS
= 10V
Q
sync
Total Gate Charge Sync. (Qg – Qgd) ––– 70 –––
t
d(on)
Turn-On Delay Time ––– 9.2 –––
ns
V
DD
= 20V
t
r
Rise Time ––– 25 ––– I
D
= 30A
t
d(off)
Turn-Off Delay Time ––– 65 –––
R
G
= 2.7
t
f
Fall Time ––– 34 –––
V
GS
= 10V
C
iss
Input Capacitance ––– 5406 –––
pF
V
GS
= 0V
C
oss
Output Capacitance ––– 805 ––– V
DS
= 25V
C
rss
Reverse Transfer Capacitance ––– 518 –––
ƒ = 1.0MHz, See Fig.7
C
oss eff.(ER)
Effective Output Capacitance
(Energy Related)
––– 962 ––– V
GS
= 0V, VDS = 0V to 32V
C
oss eff.(TR)
Output Capacitance (Time Related) ––– 1179 ––– V
GS
= 0V, VDS = 0V to 32V
Diode Characteristics
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions
I
S
Continuous Source Current
––– ––– 100
A
MOSFET symbol
(Body Diode)
showing the
I
SM
Pulsed Source Current
––– ––– 400*
integral reverse
(Body Diode) p-n junction diode.
V
SD
Diode Forward Voltage ––– 0.8 1.2 V T
J
= 25°C,I
S
= 100A,V
GS
= 0V
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ––– 6.2 ––– V/ns T
J
= 150°C,I
S
= 100A,V
DS
= 40V
t
rr
Reverse Recovery Time
––– 21 –––
ns
T
J
= 25°C
––– 22 ––– T
J
= 125°C
Q
rr
Reverse Recovery Charge
––– 32 –––
nC
T
J
= 25°C
––– 38 ––– T
J
= 125°C
I
RRM
Reverse Recovery Current ––– 1.0 ––– A T
J
= 25°C
nC
D
S
G
V
R
= 34V,
I
F
= 100A
di/dt = 100A/µs
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