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器件3D模型￥ 7.634
IRF40H210 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
PQFN-8
描述:
IRF40H210 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸在P9
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IRF40H210数据手册
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IRF40H210
4
www.irf.com © 2015 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback April 1, 2015
Fig 6. Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 5. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Output Characteristics
Fig 7. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 4.25V
60µs
PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.25V
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 4.25V
60µs
PULSE WIDTH
Tj = 150°C
4.25V
2 4 6 8 10
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
DS
= 10V
60µs PULSE WIDTH
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, Junction Temperature (°C)
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
N
o
r
m
a
l
i
z
e
d
)
I
D
= 100A
V
GS
= 10V
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
,
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
(
p
F
)
V
GS
= 0V, f = 1 MHZ
C
iss
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SHORTED
C
rss
= C
gd
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
oss
C
rss
C
iss
0 20406080100120140
Q
G
,
Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
V
G
S
,
G
a
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
V
DS
= 32V
VDS= 20V
I
D
= 100A
Fig 8. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
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