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器件3D模型￥ 7.634
IRF40H210 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
PQFN-8
描述:
IRF40H210 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRF40H210数据手册
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IRF40H210
5
www.irf.com © 2015 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback April 1, 2015
Fig 10. Maximum Safe Operating Area
Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current
Fig 12. Typical C
oss
Stored Energy
Fig 11. Drain-to-Source Breakdown Voltage
0.1 0.4 0.7 1.0 1.3 1.6 1.9
V
SD
, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I
S
D
,
R
e
v
e
r
s
e
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 0V
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, Temperature ( °C )
37
39
41
43
45
47
49
V
(
B
R
)
D
S
S
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
B
r
e
a
k
d
o
w
n
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
Id = 1.0mA
Fig 9. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
V
DS,
Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
E
n
e
r
g
y
(
µ
J
)
0 50 100 150 200
I
D
, Drain Current (A)
0
2
4
6
8
10
12
14
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
m
)
VGS = 5.0V
VGS = 6.0V
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
0.1 1 10
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R
DS
(on)
100µsec
DC
Limited by Package
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