￥ 1.357

IRF640STRLPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF640STRLPBF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF640STRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

上升时间

51 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

130 W

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3100 mW

查看数据手册 >

IRF640STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2000

查看数据手册 >

IRF640STRLPBF 符合标准

IRF640STRLPBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 2.06 MByte

IRF640STRLPBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.34 MByte

IRF640 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET

IRF640 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF640 数据手册

Vishay Siliconix

IRF640 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF640 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF640 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF640 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

IRF640 数据手册

NXP（恩智浦）

N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

IRF640 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF640 数据手册

Samsung（三星）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号