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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7343TRPBF Datasheet 文档
IRF7343TRPBF
器件3D模型
0.311
IRF7343TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7343TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
4.70 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
50 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7343
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.70 A
热阻
62.5℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
740pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7343TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7343TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.21 MByte

IRF7343 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7343TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7343PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
MOS全桥,55V/4.7A(-55V/-3.4A)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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