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IRF840B
0.262
IRF840B 数据手册 (10 页)
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IRF840B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
650 mΩ
极性
N-Channel
功耗
134 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
65 ns
输入电容值(Ciss)
1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
134 W
下降时间
75 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
134W (Tc)

IRF840B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF840B 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.65 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

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ST Microelectronics(意法半导体)
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International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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