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IRFR1205TRPBF
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IRFR1205TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR1205TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
37.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
0.027 Ω
极性
N-Channel
功耗
107 W
零部件系列
IRFR1205
阈值电压
4 V
输入电容
1300pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
44.0 A, 37.0 A
上升时间
69.0 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
107 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFR1205TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFR1205TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.14 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.38 MByte

IRFR1205 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Kersemi Electronic
SHENZHENFREESCALE
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR1205PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
55V,0.027Ω,44A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
N沟道 55V 44A
International Rectifier(国际整流器)
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