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IRFR120NPBF
0.083
IRFR120NPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR120NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
39 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.21 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
9.4A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
48 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
48W (Tc)

IRFR120NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR120NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte

IRFR120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 100V 7.7A
Intersil(英特矽尔)
8.4A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
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