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IRFR120N
0.3
IRFR120N 数据手册 (11 页)
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IRFR120N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
9.10 A
封装
TO-252
极性
N-Channel
功耗
39.0 W
零部件系列
IRFR120N
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100V (min)
连续漏极电流(Ids)
9.40 A
上升时间
23.0 ns

IRFR120N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IRFR120N 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.14 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.38 MByte

IRFR120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 100V 7.7A
Intersil(英特矽尔)
8.4A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
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