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IRFR3710ZTRLPBF
7.239
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IRFR3710ZTRLPBF数据手册
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IRFR/U3710ZPbF & IRFU3710Z-701PbF
6 www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
t
p
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14. Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
+
-
V
DD
DRIVER
A
15V
20V
V
GS
25 50 75 100 125 150 175
Starting T
J
, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
A
S
,
S
i
n
g
l
e
P
u
l
s
e
A
v
a
l
a
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
TOP 3.4A
4.8A
BOTTOM 33A
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
T
J
, Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
V
G
S
(
t
h
)
G
a
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
I
D
= 250µA
1K
VCC
DUT
0
L

IRFR3710ZTRLPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
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Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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100V,42A,N沟道MOSFET
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