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IRLZ34N
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IRLZ34N 数据手册 (11 页)
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IRLZ34N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-220
漏源极电阻
35.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
56.0 W
零部件系列
IRLZ34N
漏源极电压(Vds)
55.0 V
漏源击穿电压
55.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
880pF @25V(Vds)
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
68000 mW

IRLZ34N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon

IRLZ34N 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLZ34 数据手册

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功率MOSFET Power MOSFET
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