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IRLZ44PBF
1.268
IRLZ44PBF 数据手册 (9 页)
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IRLZ44PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
漏源极电阻
28 mΩ
功耗
150W (Tc)
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
3300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IRLZ44PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLZ44PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.76 MByte
Vishay Siliconix
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IRLZ44 数据手册

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Vishay Intertechnology
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功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
TI(德州仪器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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