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IRLZ44PBF
1.632
IRLZ44PBF 数据手册 (8 页)
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IRLZ44PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.028 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
230 ns
输入电容值(Ciss)
3300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
110 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150000 mW

IRLZ44PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
最小包装数量
50

IRLZ44PBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.62 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.56 MByte

IRLZ44 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Samsung(三星)
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
TI(德州仪器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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