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JANTXV1N5811US
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JANTXV1N5811US数据手册
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T4-LDS-0168-1, Rev. 1 (120776) ©2012 Microsemi Corporation Page 3 of 5
1N5807US, 1N5809US, 1N5811US and URS
Heating Time (sec)
FIGURE 1
Maximum Thermal Impedance
I
O
(A)
FIGURE 2
Rectifier Power vs I
O
(Average Forward Current)
Theta (
o
C/W)
P
O
(W)

JANTXV1N5811US 数据手册

Microsemi(美高森美)
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Microsemi(美高森美)
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JANTXV1N5811 数据手册

Microsemi(美高森美)
军事审批,效率高, 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP
Semtech Corporation
ESD 抑制器/TVS 二极管 D MET 6A SFST 150V HRV 6FFTV
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
Semtech Corporation
ESD 抑制器/TVS 二极管 D MET 6A SFST 150V HRV SM
Microchip(微芯)
整流器 Rectifier
Microchip(微芯)
整流器 Rectifier
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
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