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S29GL032N90TFI040
器件3D模型
5.212
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S29GL032N90TFI040数据手册
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Document Number: 001-98525 Rev. *A Page 5 of 83
S29GL064N, S29GL032N
1. Product Selector Guide
2. Block Diagram
Note
**A
MAX
GL064N = A21, GL032N = A20.
Part Number S29GL064N S29GL032N
Speed Option V
CC
= 2.7–3.6 V
V
IO
= 2.7–3.6 V 90 90
V
IO
= 1.65–3.6 V 110 110
Max. Access Time (ns) 90 110 90 110
Max. CE# Access Time (ns) 90 110 90 110
Max. Page Access Time (ns) 25 30 25 30
Max. OE# Access Time (ns) 25 30 25 30
Input/Output
Buffers
X-Decoder
Y-Decoder
Chip Enable
Output Enable
Logic
Erase Voltage
Generator
PGM Voltage
Generator
Timer
V
CC
Detector
State
Control
Command
Register
V
CC
V
SS
WE#
WP#/ACC
BYTE#
CE#
OE#
STB
STB
DQ15DQ0 (A-1)
Sector Switches
RY/BY#
RESET#
Data
Latch
Y-Gating
Cell Matrix
Address Latch
A
Max
**–A0

S29GL032N90TFI040 数据手册

Spansion(飞索半导体)
83 页 / 1.02 MByte
Spansion(飞索半导体)
83 页 / 1.02 MByte

S29GL032N90 数据手册

Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL032N90TFI040  闪存, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, TSOP, 48 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-N 系列 32 M (4 M x 8/2 M x 16) 3.6 V 页面模式 闪存 - TSOP-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-N 系列 32 M (4 M x 8/2 M x 16) 3.6 V 页面模式 闪存 - TSOP-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S29GL03N 系列 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 3 V 90 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-48
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-N 系列 32 M (4M x 8, 2M x 16) 3.6 V 表面贴装 闪存 - TSOP-56
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL032N90BFI040  芯片, 闪存存储器, 32MB, 90NS, 48-BGA
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL032N90TFI030.  芯片, 闪存, MIRRORBIT
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, 并行, BGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
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