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STP60NF06FP
0.216
STP60NF06FP 数据手册 (12 页)
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STP60NF06FP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.014 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
37.0 A
上升时间
108 ns
输入电容值(Ciss)
1810pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)

STP60NF06FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP60NF06FP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.26 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.36 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STP60NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
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