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STP60N3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP60N3LH5 数据手册 (21 页)

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STP60N3LH5 数据手册 (21 页)

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STP60N3LH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7.2 mΩ

功耗

60 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

4.2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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STP60N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP60N3LH5 符合标准

STP60N3LH5 概述

STP60N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.72 MByte

STP60N3LH5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.84 MByte

STP60N3LH5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.85 MByte

STP60N3 数据手册

STP60N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

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