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STP60NF06LFP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP60NF06LFP 数据手册 (16 页)

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STP60NF06LFP 数据手册 (16 页)

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STP60NF06LFP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

漏源极电阻

14.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

30.0 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

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STP60NF06LFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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STP60NF06LFP 符合标准

STP60NF06LFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.47 MByte

STP60NF06LFP 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.67 MByte

STP60NF06LFP 产品手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.36 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

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N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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N沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET

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N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET

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