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STP60NE06-16
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STP60NE06-16 数据手册 (11 页)
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STP60NE06-16 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
16.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
150W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
上升时间
125 ns
输入电容值(Ciss)
6200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
150W (Tc)

STP60NE06-16 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
175℃ (TJ)

STP60NE06-16 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.27 MByte

STP60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.008Ω - 60A TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30V - 0.008Ω - 60A TO-220 STripFET™ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30 V , 0.0072 Ω , 48采用DPAK , IPAK , TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
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