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STP60N55F3
1.094
STP60N55F3 数据手册 (20 页)
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STP60N55F3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
110 W
漏源极电压(Vds)
55 V
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
11.5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STP60N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP60N55F3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 0.6 MByte

STP60N55 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
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