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STP8NM60
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STP8NM60数据手册
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Package mechanical data STP8NM60, STD5NM60, STB8NM60
10/18
TO-220 mechanical data
Dim
mm inch
Min Typ Max Min Typ Max
A 4.40 4.60 0.173 0.181
b 0.61 0.88 0.024 0.034
b1 1.14 1.70 0.044 0.066
c0.48 0.70 0.019 0.027
D 15.25 15.75 0.6 0.62
D1 1.27 0.050
E 10 10.40 0.393 0.409
e 2.40 2.70 0.094 0.106
e1 4.95 5.15 0.194 0.202
F1.23 1.32 0.048 0.051
H1 6.20 6.60 0.244 0.256
J1 2.40 2.72 0.094 0.107
L13 14 0.511 0.551
L1 3.50 3.93 0.137 0.154
L20 16.40 0.645
L3028.90 1.137
P 3.75 3.85 0.147 0.151
Q2.65 2.95 0.104 0.116

STP8NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STP8 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP8NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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