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STP8NM60
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STP8NM60数据手册
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Package mechanical data STP8NM60, STD5NM60, STB8NM60
12/18
D²PAK (TO-263) mechanical data
Dim
mm inch
Min Typ Max Min Typ Max
A 4.40 4.60 0.173 0.181
A1 0.03 0.23 0.001 0.009
b 0.70 0.93 0.027 0.037
b2 1.14 1.70 0.045 0.067
c 0.45 0.60 0.017 0.024
c2 1.23 1.360.048 0.053
D 8.95 9.350.352 0.368
D1 7.50 0.295
E 10 10.40 0.3940.409
E1 8.50 0.334
e 2.54 0.1
e1 4.88 5.28 0.1920.208
H15 15.850.5900.624
J1 2.49 2.69 0.099 0.106
L2.29 2.79 0.090 0.110
L1 1.27 1.40 0.05 0.055
L2 1.30 1.75 0.051 0.069
R 0.4 0.016
V2 8°0° 8°
0079457_M

STP8NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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STP8 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP8NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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