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FDMA86551L 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
MOS管
封装:
QFN-6
描述:
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMA86551L数据手册
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FDMA86551L Single N-Channel PowerTrench
®
MOSFET
www.fairchildsemi.com
4
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA86551L Rev.C2
Figure 7.
03691215
0
2
4
6
8
10
I
D
= 7.5 A
V
DD
= 40 V
V
DD
= 30 V
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 20 V
Gate Charge Characteristics Figure 8.
0.1 1 10 60
1
10
100
1000
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
CAPACITANCE (pF)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10 s
CURVE BENT TO
MEASURED DATA
100 μs
10 ms
DC
1 s
100 ms
1 ms
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
THIS AREA IS
LIMITED BY r
DS(on)
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
R
θJA
= 145
o
C/W
T
A
= 25
o
C
F or w ar d B i as Sa f e
Operating Area
Figure 10.
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
100 1000
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE
R
θJA
= 145
o
C/W
T
A
= 25
o
C
P(
PK
), PEAK TRANSIENT POWER (W)
t, PULSE WIDTH (sec)
S i ng l e P ul s e Maximu m
Power Dissipation
Figure 11. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
100 1000
0.001
0.01
0.1
1
2
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
Z
θJA
(t) = r(t) x R
θJA
Peak T
J
= P
DM
x Z
θJA
(t) + T
A
R
θJA
= 145 °C/W
Typical Characteristics T
J
= 25 °C unless otherwise noted
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