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IRLML2803TRPBF
器件3D模型
0.387
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IRLML2803TRPBF数据手册
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IRLML2803
www.irf.com 4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1 10 100
C, Capacitance (pF)
DS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
Q , Total Gate Charge (nC)
G
V , Gate-to-Source Voltage (V)
GS
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
I = 0.91A
V = 24V
V = 15V
D
DS
DS
0.1
1
10
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
T = 25°C
T = 150°C
J
J
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I , Reverse Drain Current (A)
SD
SD
A
0.1
1
10
100
1 10 100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
DS
I , Drain Current (A)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
D
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
1ms
10ms
A
A
J
100μs
10μs

IRLML2803TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.25 MByte
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IRLML2803 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) =仅为0.25mΩ ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML2803TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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