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BTS118D 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
FET驱动器
封装:
TO-252-3
描述:
INFINEON BTS118D 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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原理图在P5
封装尺寸在P9
功能描述在P1
电气规格在P3P4
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BTS118D数据手册
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Datasheet 6 Rev. 1.3, 2006-12-22
Smart Low Side Power Switch
Power HITFET BTS 118D
1 Maximum allowable power dissipation
P
tot
= f(T
C
) resp.
P
tot
= f(T
A
) @ R
thJA
=55 K/W
-50 -25 0 25 50 75 100
°C
150
T
A
;T
C
0
0.5
1
1.5
2
W
3
P
tot
SMD @ 6cm2
Rthjc = 3 K/W
2 On-state resistance
R
ON
= f(T
j
); I
D
=2.2A; V
IN
=10V
-50 -25 0 25 50 75 100 125
°C
175
T
j
0
25
50
75
100
125
150
175
mW
225
R
DS(on)
typ.
max.
3 On-state resistance
R
ON
= f(T
j
); I
D
=2.2A; V
IN
=5V
-50 -25 0 25 50 75 100 125
°C
175
T
j
0
25
50
75
100
125
150
175
200
mW
250
R
DS(on)
typ.
max.
4 Typ. input threshold voltage
V
IN(th)
= f(T
j
); I
D
= 0.3 mA; V
DS
= 12V
-50 -25 0 25 50 75 100
°C
150
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
2
V
GS(th)
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