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IRFR3710Z
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IRFR/U3710ZPbF & IRFU3710Z-701PbF
5 2016-5-31
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
25 50 75 100 125 150 175
T
C
, Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
I
D
,
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Limited By Package
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
, Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
N
o
r
m
a
l
i
z
e
d
)
I
D
= 56A
V
GS
= 10V
1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
h
e
r
m
a
l
Re
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
C
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
J
J
1
1
2
2
3
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
C
C
Ci= iRi
Ci= iRi
Ri (°C/W)
i (sec)
0.249 0.001424
0.224 0.007998
0.576 0.000540

IRFR3710Z 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.66 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR3710 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
MOS(场效应管)/IRFR3710ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
100V,42A,N沟道MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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