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IRFR3710Z
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IRFR/U3710ZPbF & IRFU3710Z-701PbF
6 2016-5-31
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
+
-
V
DD
DRIVER
A
15V
20V
t
p
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 14. Threshold Voltage vs. Temperature
25 50 75 100 125 150 175
Starting T
J
, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
A
S
,
S
i
n
g
l
e
P
u
l
s
e
A
v
a
l
a
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
TOP 3.4A
4.8A
BOTTOM 33A
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
T
J
, Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
V
G
S
(
t
h
)
G
a
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
I
D
= 250µA

IRFR3710Z 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.66 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR3710 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
MOS(场效应管)/IRFR3710ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
100V,42A,N沟道MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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